on ON Semiconductor n 通道 mv mosfet 采用 Advanced power trench 工藝生產、該工藝采用了屏蔽柵極技術。此過程已經過優化，可最大程度降低導通電阻，同時使用同類最佳的軟主體二極管保持優異的切換性能。
低 rds （接通）可有效減少傳導
低電容、有效減少驅動器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 93 A |
| 最大漏源電壓 | 120 V |
| 封裝類型 | DFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 5 |
| 最大漏源電阻值 | 0.006. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
