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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NTMFS6H801NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTMFS6H801NT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTMFS6H801NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

商用功率 MOSFET 采用 5 x 6 mm 扁平引線(xiàn)封裝，設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì)，包括高熱性能。

體積小巧 (5 x 6 mm)
緊湊設(shè)計(jì)
低 RDS（接通）
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低 QG 和電容
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
應(yīng)用
開(kāi)關(guān)電源
電源開(kāi)關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等）
48V 系統(tǒng)
電動(dòng)機(jī)控制
負(fù)載開(kāi)關(guān)
直流/直流轉(zhuǎn)換器
同步整流器


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 157 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類(lèi)型 DFN
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 4.4 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 166 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 64 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.1mm
最高工作溫度 +175 °C
寬度 5.1mm
暫無(wú)

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