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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi FCHD190N65S3R0-F155 MOSFET

訂 貨 號(hào)：FCHD190N65S3R0-F155      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi FCHD190N65S3R0-F155 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理電磁干擾問(wèn)題，更易于設(shè)計(jì)實(shí)施。

TJ = 150 oC 時(shí)為 701 V
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 300 pF）
超低柵極電荷（典型 Qg = 33 nC）
優(yōu)化的電容
典型 RDS（接通）= 159 m?
內(nèi)部柵極電阻：0.5 Ω
低切換損耗
低切換損耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 17 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247AD
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 190 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 144 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 33 @ 10 v 常閉
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 5.3mm
長(zhǎng)度 16.25mm
暫無(wú)

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