P 通道 20V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? Gen III P 通道功率 MOSFET
領先 RDS(on) ，采用緊湊且熱增強的封裝
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 111.9 a. |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | PowerPak 1212-S |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 9.8 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.9V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 65.8 瓦 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±8 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 3.3mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 154nc @ 10v |
| 寬度 | 3.3mm |
