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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Nexperia PMV65XPEAR MOSFET

訂 貨 號(hào)：PMV65XPEAR      品牌：PMV

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Nexperia PMV65XPEAR MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車(chē)級(jí) MOSFET，世界上最大的符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，對(duì)汽車(chē)系統(tǒng)要求和專(zhuān)注技術(shù)能力的深入了解，使 Nexperia 能夠在廣泛的應(yīng)用中提供功率半導(dǎo)體解決方案。從驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的車(chē)燈到發(fā)動(dòng)機(jī)、車(chē)身或底盤(pán)應(yīng)用中功率控制的復(fù)雜需求，Nexperia 功率半導(dǎo)體可以解決許多汽車(chē)系統(tǒng)的功率問(wèn)題。

符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
重復(fù)性耐雪崩等級(jí)
由于額定溫度為 175°C，適用于對(duì)熱量要求苛刻的環(huán)境

20 V，P 通道 Trench MOSFET，P 通道增強(qiáng)模式場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術(shù)。

Trench MOSFET 技術(shù)
超快切換
增強(qiáng)型功耗能力：Ptot = 890 mW
靜電放電 (ESD) 保護(hù) 2 kV HBM
符合 AEC-Q101


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 -3.3 A
最大漏源電壓 -20 V
封裝類(lèi)型 SOT23，TO-236AB
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -1.25V
最小柵閾值電壓 -0.75V
最大功率耗散 6250 mW
晶體管配置 單
最大柵源電壓 12 V
每片芯片元件數(shù)目 3
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 5 nC @ 10 V
寬度 1.4mm
暫無(wú)

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