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英飛凌 IPB020N10N5ATMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPB020N10N5ATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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英飛凌 IPB020N10N5ATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 的最新一代 OptiMOS? 5 100V 功率 MOSFET 專門設(shè)計(jì)用于電信系統(tǒng)和服務(wù)器電源的同步整流。此外,這些器件還可用于其他工業(yè)應(yīng)用,如太陽能、低電壓驅(qū)動(dòng)器和適配器。新款 OptiMOS? 5 100V MOSFET 采用七種不同封裝,提供業(yè)內(nèi)最低的 R DS(on)。

經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達(dá) 44%
與上一代產(chǎn)品相比,R DS(on) 下降多達(dá) 43%
優(yōu)點(diǎn):
最高系統(tǒng)效率
減少切換和傳導(dǎo)損耗
所需并聯(lián)減少
功率密度增加
低電壓過沖
目標(biāo)應(yīng)用:
電信
服務(wù)器
太陽能
低電壓驅(qū)動(dòng)器
輕型電動(dòng)車
適配器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 176 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO 263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + 2 Tab
最大漏源電阻值 2.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.8V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
典型柵極電荷@Vgs 168 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
寬度 11.05mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 10.31mm
暫無

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