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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET

訂 貨 號：IPDD60R190G7XTMA1      品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 技術(shù)引入了雙 dak (ddpack) ，這是首款頂部冷卻表面安裝設(shè)備 (smd ）封裝，適用于 pc 電源、太陽能、服務(wù)器和電信等高功率開關(guān)電源應(yīng)用。現(xiàn)有的高電壓技術(shù) 600V coolmos ? G7 超接點（ sj ） mosfet 的優(yōu)勢與創(chuàng)新的頂部冷卻概念相結(jié)合，為高電流硬切換拓?fù)洌ㄈ?pfc ）提供系統(tǒng)解決方案，并為 llc 拓?fù)涮峁└叨诵式鉀Q方案。

實現(xiàn)最高能效
板和半導(dǎo)體的熱去耦可克服熱印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DDPAK
引腳數(shù)目 10
最大漏源電阻值 190 米Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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