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產(chǎn)品分類(lèi)

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Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD30N06S4L23ATMA2      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD30N06S4L23ATMA2 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 55V 的 60V n 通道汽車(chē)功率 mosfet 系列范圍廣泛、它采用最新的最佳 mosfet 技術(shù)、封裝范圍廣、 rds (接通)范圍從 1.5m? m 2 到 160m?The 2 ;采用 OptiMOS5 技術(shù)的新型 60V 汽車(chē) mosfet 系列可提供更大功率和領(lǐng)先性能。優(yōu)化用于驅(qū)動(dòng)器和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的時(shí)候、可減少傳導(dǎo)損耗。SSO8 ( 5x6mm2 )和 S3O8 ( 3x3mm2 )更小的無(wú)引線封裝與 dak 區(qū)域相比、可節(jié)省 50% 以上的空間。

N 通道 - 增強(qiáng)模式
符合 aec Q101 標(biāo)準(zhǔn)
MSL1 高達(dá) 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作溫度
綠色產(chǎn)品(符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn))
100% 雪崩測(cè)試
60V 時(shí)全球最低 rds (接通)
最高電流容量
開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)功率損耗最低、可實(shí)現(xiàn)最高熱效率
具有卓越質(zhì)量和可靠性的堅(jiān)固封裝
經(jīng)過(guò)優(yōu)化的總柵極電荷可實(shí)現(xiàn)更小的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類(lèi)型 PG-TO252
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.023 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 16V
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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