E 系列功率 MOSFET
低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (CISS)
減少切換和傳導損耗
應用
服務器和電信電源
開關模式電源 (SMPS)
功率因數校正電源 (PFC)
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4.1 A |
| 最大漏源電壓 | 800 V |
| 封裝類型 | IPAK (TO-251) |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 1.44 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 62.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 寬度 | 2.38mm |
| 長度 | 6.73mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 11 nC @ 10 V |
