on ON Semiconductor 單 n 溝道碳化硅（ sic ） mosfet 采用全新技術、與硅相比、可提供卓越的切換性能和更高的可靠性。此外、低接通電阻和緊湊型芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷。系統優點包括最高的效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的 EMI、更小的系統尺寸以及更低的成本。
超低柵極電荷（典型值 qg （ tot ） = 220nC ）
低有效輸出電容
通過 100% 雪崩測試
符合 AEC Q101 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續漏極電流 | 98 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | D2PAKa? 7L |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.028 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | SiC |
