N 通道 40V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接點溫度
出色的 RDS-QG 和 RDS-QOSS FOM 可減少傳導和切換的功耗，從而實現高效
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 150 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 130 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.41mm |
| 寬度 | 9.65mm |
