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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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onsemi FCB199N65S3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：FCB199N65S3      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi FCB199N65S3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SuperFET? III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專(zhuān)門(mén)用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET 非常適合用于各種電源系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。

TJ = 150 oC 時(shí)為 700 V
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
超低柵極電荷（典型 Qg = 30 nC）
低切換損耗
低有效輸出電容（典型 Coss(eff.) = 277 pF）
低切換損耗
優(yōu)化的電容
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
內(nèi)部柵極電阻：7.0 Ω
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
典型 RDS（接通）= 170 m?


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 14 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 D2PAK
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 2 + Tab
最大漏源電阻值 199 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 98 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
長(zhǎng)度 10.67mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 30 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 9.65mm
暫無(wú)

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