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產(chǎn)品分類

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onsemi NVMFS5C406NLT1G MOSFET

訂 貨 號(hào):NVMFS5C406NLT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NVMFS5C406NLT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

汽車(chē)功率 MOSFET 采用 5x6mm 扁平引線封裝,設(shè)計(jì)用于緊湊型高效設(shè)計(jì),包括高熱性能。可用于增強(qiáng)光學(xué)檢查的濕式掃描床平板支撐選件。

體積小巧 (5x6 mm)
低 RDS(接通)
低 QG 和電容
NVMFS5C404NLWF - 濕式支架光學(xué)鏡片
支持 PPAP
緊湊設(shè)計(jì)
最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
增強(qiáng)型光學(xué)
應(yīng)用
反向器電池保護(hù)
切換電源
電源開(kāi)關(guān)(高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋等)
最終產(chǎn)品
電磁閥驅(qū)動(dòng)器 - ABS 、燃油噴射
電機(jī)控制 - EPS 、雨刮器、風(fēng)扇、座椅等
負(fù)載開(kāi)關(guān) - ECU 、底盤(pán)、車(chē)身


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 362 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 DFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 5
最大漏源電阻值 1.1 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 1.2V
最大功率耗散 179 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 5.1mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 6.1mm
典型柵極電荷@Vgs 149 nC @ 10 V
暫無(wú)

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