Vishay Siliconix 維護半導(dǎo)體技術(shù)的可靠性數(shù)據(jù),封裝可靠性代表所有合格位置的復(fù)合。
TrenchFET Gen IV 功率 MOSFET
極低 RDS x Qg 品質(zhì)因數(shù) (FOM)
調(diào)諧至最低 RDS x Qoss FOM
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 59.7 A |
最大漏源電壓 | 150 V |
封裝類型 | PowerPak SO-8 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0115 Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |