the Infineon 系列新的最佳功率是 T2 、它具有一系列節(jié)能 mosfet 晶體管、減少了 CO2 、并配有電動驅(qū)動器。新的最佳 mos T2 產(chǎn)品系列擴展了現(xiàn)有的最佳 mos -t 和最佳 mos 系列。提供高性能封裝、可應對最具有挑戰(zhàn)性的應用、在有限空間內(nèi)提供完全靈活性。這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設計符合并超過計算機應用中更嚴格的下一代電壓調(diào)節(jié)標準的能效和功率密度要求。
產(chǎn)品符合 aec Q101 標準
它具有 175°c 工作溫度
100% 雪崩測試
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 80 A |
最大漏源電壓 | 60 V |
封裝類型 | Pg - TO262 - 3 - 1 |
安裝類型 | 通孔 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.0067 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.2V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |