Infineon IRFZ46ZSTRLPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息
此 Infineon 強電源 mosfet 經(jīng)優(yōu)化可用于低 rds (接通)和高電流容量。它特別適用于需要性能和堅固性的低頻應用。
它針對同步整流進行了優(yōu)化
屬性 |
數(shù)值 |
通道類型 |
N |
最大連續(xù)漏極電流 |
51 A |
最大漏源電壓 |
55 V |
封裝類型 |
D2PAK (TO-263) |
安裝類型 |
表面貼裝 |
引腳數(shù)目 |
3 |
最大漏源電阻值 |
0.0136 Ω |
最大柵閾值電壓 |
4V |
每片芯片元件數(shù)目 |
1 |