共漏極雙 N 通道 60V (S1-S2) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
電阻極低的源到源
采用緊湊且熱增強型封裝的集成共漏極 N 通道 MOSFET
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 52 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PowerPak 1212 – SCD |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 18 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 69.4 W |
| 晶體管配置 | 共漏極 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 22 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 3.4mm |
| 長度 | 3.4mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
