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產(chǎn)品分類

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onsemi NCP81080DR2G MOSFET

訂 貨 號(hào):NCP81080DR2G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NCP81080DR2G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

NCP81080 是高性能雙 MOSFET(高側(cè)和低側(cè))柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)以高達(dá) 180 V 運(yùn)行的 MOSFET。NCP81080 集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和限幅二極管,提供 0.5 A 源電流/0.8 A 匯電流驅(qū)動(dòng)容量。集成了防跨導(dǎo)電路,可防止直通問(wèn)題。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可獨(dú)立控制。

驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)的兩個(gè) N 通道 MOSFET
集成限幅二極管,用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)
引導(dǎo)程序電源電壓范圍高達(dá) 180 V
0.5 A 源電流、0.8 A 匯電流輸出容量
以 19 ns/17 ns 的典型上升/下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1nF 負(fù)載
寬電源電壓范圍:5.5 V 至 20 V
2 ns 延時(shí)匹配(典型值)
用于驅(qū)動(dòng)電壓的欠電壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
工作接點(diǎn)溫度范圍:-40°C 至 140°C


屬性 數(shù)值
通道類型 N
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大柵閾值電壓 5.4V
最小柵閾值電壓 3.4V
長(zhǎng)度 5mm
寬度 4mm
最高工作溫度 +170 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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