與前幾代的功率MOSFET 相比, IXYS X2 類 HiPerFET 功率MOSFET 系列顯著降低電阻和柵極電荷,從而降低了損耗,提高了操作效率。這些堅固耐用的器件包含增強型高速固有二極管,適用于硬切換和諧振模式應用。X2 類功率MOSFET可采用多種行業(yè)標準封裝,包括隔離型,在 650V 時額定電流高達 120A。典型應用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,交流和直流電動機驅(qū)動器,開關(guān)模式和諧振模式電源,直流截波器,太陽能逆變器,溫度和照明控制。
非常低的 RDS (接通) 和 QG (柵極電荷)
快速固有整流器二極管
低固有柵極電阻
低封裝電感
工業(yè)標準封裝
IXYS 的一系列高級離散電源 MOSFET 設備
| 屬性 | 數(shù)值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續(xù)漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | TO-264P |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數(shù)目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 30 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.7V |
| 最大功率耗散 | 1.04 kW |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
| 寬度 | 26.3mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 183 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 20.3mm |
| 晶體管材料 | Si |