Vishay Siliconix 維護半導體技術的可靠性數(shù)據(jù),封裝可靠性代表所有合格位置的復合。
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Ciss)
減少切換和傳導損耗
超低柵極電荷 (Qg)
雪崩能量等級 (UIS)
集成齊納二極管 ESD 保護
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.4 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | TO-220AB |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 1.35. Ω |
最大柵閾值電壓 | 4V |