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訂 貨 號(hào):SI4154DY-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
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Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品,漏 - 源電壓為 40V ,最大柵 - 源電壓為 20V。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 3.3 mohm 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 7.8W ,連續(xù)漏極電流為 36A。此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。
? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
? POL
?同步整流器
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 36 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | SOIC |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 0.0039 O |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |