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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Vishay SIHH26N60E-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SIHH26N60E-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHH26N60E-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET，E 系列，低品質(zhì)因數(shù)，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管，具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應(yīng)用包括服務(wù)器和電信電源、LED 照明、回掃轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)。

特點(diǎn)

低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低輸入電容 (Ciss)
低接通電阻（RDS（接通））
超低柵極電荷 (Qg)
快速切換
減少切換和傳導(dǎo)損耗

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 25 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類(lèi)型 PowerPAK
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 135 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 202 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 8.1mm
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 8.1mm
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 77 nC @ 10 V
暫無(wú)

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