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訂 貨 號(hào):SI2300DS-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品,在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 68mohm。它的最大柵極源電壓為 12V ,漏極源電壓為 30V。MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 2.5V 和 4.5V。它具有 3.6A 的連續(xù)漏極電流和 1.7W 的最大功耗。 MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長(zhǎng)且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。
? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET
?用于便攜式設(shè)備的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開(kāi)關(guān)
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 3.6 A |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類(lèi)型 | SOT-23 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 0.068 O |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |