在线免费观看成年人视频-在线免费观看国产-在线免费观看国产精品-在线免费观看黄网站-在线免费观看精品

產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

當(dāng)前位置： 首頁 > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比較

Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SiZ350DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

-
+

公司基本資料信息







  • 關(guān)聯(lián)產(chǎn)品
  • 替代產(chǎn)品
  • 產(chǎn)品介紹
  • 產(chǎn)品屬性
  • 相關(guān)資料
  • 產(chǎn)品評價（0）
Vishay Siliconix SiZ350DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
高側(cè)和低側(cè) MOSFET 形成優(yōu)化的
組合，可實(shí)現(xiàn) 50% 占空比
經(jīng)優(yōu)化的 RDS - Qg 和 RDS - Qgd FOM 提高了
高頻切換的效率
應(yīng)用
同步降壓
直流/直流轉(zhuǎn)換
半橋
POL


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPAIR 3 x 3
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.4V
最大功率耗散 16.7 W
最大柵源電壓 -12 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 2
長度 3mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3mm
暫無

正在載入評論詳細(xì)...