Vishay MOSFET 是 N 溝道 TO-220AB-3 封裝,是具有 60V 漏 - 源電壓和 10V 最大柵 - 源電壓的新時代產(chǎn)品。在 5V 柵極源電壓下,漏極源電阻為 28mohm。MOSFET 的最大功耗為 150W。 此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。
?動態(tài) dV/dt 額定值
?易于并聯(lián)
?快速切換
?無鉛 (Pb) 組件
?邏輯電平柵極驅(qū)動
?工作溫度范圍 -55°C 至 175°C
? VGS 時規(guī)定的 RDS (接通) 為 4V 和 5V
?簡單的驅(qū)動要求
?電池充電器
? 變頻器
? 電源
?開關(guān)模式電源 (SMPS)