Vishay SiZ250DT T1 60V 是雙 n 溝道 GE3 （ d-s ）高電阻器。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
優化的 qgs/qgs 比可提高切換性能
特點
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 38 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | Powerpir 3 x 3FDC |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0122 Ω 、 0.0127 Ω 、 0.01811 Ω 、 0.01887 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.4V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
