Vishay SIDR638DP od-s1-d3 T1 mosfet 是 RE3 （ 40V ） mosfet 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
極低 RDS - Qg 品質因數 (FOM)
調諧到最低 RDS - Qoss FOM
頂部冷卻功能為熱傳遞提供了額外的場所
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 100 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Powerpak so - 8DC |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00088 Ω 、 0.00116 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
