Vishay SIA817EDJ 是 P 通道 MOSFET ，帶肖特基二極管，具有 -30V 的漏極到源 (VDS) 電壓。它具有雙路加集成肖特基配置。柵極到源電壓 (VGS) 為 12 伏。它采用 POWER PAK SC-70 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10VGS 時為 0.065 歐姆， 4.5VGS 時為 0.008 歐姆。最大漏極電流 -4.5A。
小腳加肖特基功率 MOSFET
熱增強型 Power PAK SC-70 封裝小尺寸區域，低接通電阻，薄型 0.75 mm
典型 ESD 保護 (MOSFET) ： 1500 V (HBM)
