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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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onsemi NTMFS4833NT1G MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTMFS4833NT1G      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTMFS4833NT1G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低電容可最大限度地減少驅(qū)動(dòng)器損耗
經(jīng)過優(yōu)化的柵極電荷，可最大限度地減少切換損耗
這些都是無鉛?器件
應(yīng)用
請(qǐng)參閱應(yīng)用手冊(cè) AND8195
CPU 電源傳輸
直流?直流轉(zhuǎn)換器
低側(cè)切換


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 191 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 3 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 113.6 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 4.9mm
每片芯片元件數(shù)目 1
長度 5.8mm
典型柵極電荷@Vgs 88 nC @ 11.5 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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