on ON Semiconductor iii 系列 n 溝道 800V mosfet 針對回飛轉(zhuǎn)換器的主開關(guān)進行了優(yōu)化、憑借優(yōu)化的設(shè)計、可在不影響 emi 性能的情況下降低開關(guān)損耗和外殼溫度。此外、內(nèi)部齊納二極管顯著提高了 esd 能力。由于其在開關(guān)電源應(yīng)用(如筆記本電腦適配器、音頻、照明、 atx 電源和工業(yè)電源)中的出色性能、此新系列使應(yīng)用變得更加高效、緊湊、冷卻和堅固。
連續(xù)漏極電流額定值為 13A
漏極到電源接通電阻額定值為 360mohm
超低柵極電荷
輸出電容中存儲的能量低
通過 100% 雪崩測試
封裝類型為 to - 220
屬性 | 數(shù)值 |
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通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 13 A |
最大漏源電壓 | 800 V |
封裝類型 | TO-220 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 360 mΩ |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 3.8V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |