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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SiSS02DN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SiSS02DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

特點
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
在緊湊型熱增強封裝中
實現(xiàn)極低的 RDS(on)
經(jīng)優(yōu)化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了
與切換相關(guān)的功耗
應(yīng)用
同步整流
同步降壓轉(zhuǎn)換器
高功率密度直流/直流
OR-ing
負載開關(guān)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 80 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 1 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.2V
最大功率耗散 65.7 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -12 V、+16 V
長度 3.15mm
典型柵極電荷@Vgs 55 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
寬度 3.15mm
暫無

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