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產(chǎn)品分類
分類：
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onsemi NTTFS6H850NTAG MOSFET

訂 貨 號：NTTFS6H850NTAG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NTTFS6H850NTAG MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

商用功率 MOSFET 采用 3x3 mm 扁平引線封裝，設計用于緊湊型高效設計，包括高熱性能。

特點
低接通電阻
低柵極電荷
體積小巧 (3 x 3 mm)

優(yōu)點
最大限度地減少傳導損耗
最大限度地減少切換損耗
緊湊設計
應用
反向器電池保護
電源開關（高側驅動器、低側驅動器、半橋等）
同步整流
最終產(chǎn)品
電動機控制
電池管理
開關電源


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 68 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 WDFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 9.5 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 107 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
寬度 3.15mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 3.6 nC @ 10 V
長度 3.15mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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