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Fairchild Semiconductor FDFMA2P857 MOSFET

訂 貨 號：FDFMA2P857      品牌：IRC

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

環(huán) 球 價： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Fairchild Semiconductor FDFMA2P857 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

P 通道 PowerTrench? MOSFET MOSFET，帶肖特基二極管，F(xiàn)airchild Semiconductor

設(shè)計用于手機及其他超便攜式應用中的電池充電開關(guān)
獨立連接的低正向電壓肖特基二極管可實現(xiàn)最小的傳導損耗

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運行時間。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 3 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 MLP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 240 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.3V
最小柵閾值電壓 0.4V
最大功率耗散 1.4 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -8 V、+8 V
寬度 2mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長度 2mm
典型柵極電荷@Vgs 4 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
暫無

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