此單 N 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設(shè)計,可優(yōu)化特殊 MicroFET 導(dǎo)線框架上的 RDS(ON)@VGS=2.5V 。
RDS (on) =30m Ω @VGS =4.5 V ,識別號 =5.7A
RDS (on) =40 M Ω @VGS =2.5 V , ID =5.0A
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封裝 MicroFET 2x2mm
HBM ESD 保護級別 2.5K V (典型)(注釋 3 )
無鹵化合物和銻氧化物
應(yīng)用
該產(chǎn)品可通用,適用于許多不同的應(yīng)用。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
封裝類型 | MicroFET 2 x 2 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 2.4 W |
晶體管配置 | 單 |
引腳數(shù)目 | 6 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |