減少反向恢復時間、反向恢復電荷和反向恢復電流
低品質因數 (FOM)
低輸入電容 (Ciss)
由于低反向恢復電荷，提高了堅固性
超低柵極電荷 (Qg)
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 28 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 123 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 250 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -30 V、+30 V |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 9.65mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 長度 | 10.67mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 80 nC @ 10 V |
