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產(chǎn)品分類
分類：
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onsemi NVMYS1D3N04CTWG MOSFET

訂 貨 號：NVMYS1D3N04CTWG      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NVMYS1D3N04CTWG MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

汽車功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封裝，設計緊湊高效，具有高熱性能。MOSFET 和 PPAP 適用于需要增強板級可靠性的汽車應用。

體積小巧 (5 x 6 mm)，可實現(xiàn)緊湊設計
低 RDS（接通），可最大限度地減少傳導損耗
低 QG 和低電容可最大限度地減少驅(qū)動器損耗
LFPK4 封裝，工業(yè)標準
支持 PPAP
這些設備無鉛


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 252A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 LFPAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 1.15 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 134 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
典型柵極電荷@Vgs 75nc @ 10v
長度 5mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.25mm
暫無

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