Vishay SiSS63DN od-s4d-s3 T1 是 p 溝道 20V （ d-s ） mosfet 。 GE3
TrenchFET? Gen III P 通道功率 MOSFET
領先的 rds （接通）、采用緊湊型和熱增強型封裝
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 127.5 a |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | Powerpak 1212-1e 8S |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.007 Ω 、 0.0027 Ω 、 0.0036 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
