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onsemi NTR3C21NZT1G MOSFET

訂 貨 號:NTR3C21NZT1G      品牌:安森美_Onsemi

庫存數量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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onsemi NTR3C21NZT1G MOSFET
產品詳細信息

采用 SOT?23 封裝的超低 RDS ( ON )
Advanced Trench
提高了系統(tǒng)效率
應用:
電源負載開關
電源管理


屬性 數值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.6 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 55 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 0.45V
最大功率耗散 470 mW
晶體管配置
最大柵源電壓 ±8 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 17.8 nC @ 4.5 V
長度 3.04mm
寬度 1.4mm
暫無

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