當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > MOSFET > NMOSFET
+比較
訂 貨 號(hào):NTR1P02LT1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
這些微型表面安裝 MOSFET 低 RDS (on) 可確保最小的功率損耗和節(jié)能,使這些器件成為空間敏感電源管理電路的理想選擇。這些 P 通道小型信號(hào) MOSFET 的典型應(yīng)用包括直流 - 直流轉(zhuǎn)換器和便攜式和電池供電產(chǎn)品(例如計(jì)算機(jī)、打印機(jī)、 PCMCIA 卡、蜂窩和無(wú)繩電話)的電源管理。
低 RDS (on) 提供更高的效率并延長(zhǎng)電池壽命
微型 SOT-23 表面安裝封裝節(jié)省了板級(jí)空間
最終產(chǎn)品
計(jì)算機(jī)
打印機(jī)
PCMCIA 卡
移動(dòng)電話和無(wú)繩電話
應(yīng)用
dcdc 轉(zhuǎn)換器
便攜式和電池供電產(chǎn)品中的電源管理
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類(lèi)型 | P |
最大連續(xù)漏極電流 | 1.3 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類(lèi)型 | SOT-23 |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 350 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1.25V |
最小柵閾值電壓 | 0.7V |
最大功率耗散 | 400 mW |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | +12 V |
典型柵極電荷@Vgs | 3.1 nC @ 4.5 V |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 3.04mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 1.4mm |