Vishay n 溝道 80 v （ d-s ） mosfet 具有超低 qg 和 qoss 電流、可減少功率損耗并提高效率。它具有非常低的 qg 和 qoss 、可減少功率損耗并提高效率。
trench場 效應第四代功率 mosfet
經過 100% rg 和 uis 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 25.5 A |
| 最大漏源電壓 | 80 V |
| 封裝類型 | PowerPAK SO-8L |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0156 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
