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產(chǎn)品分類
分類：
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onsemi NTHL095N65S3HF MOSFET

訂 貨 號：NTHL095N65S3HF      品牌：安森美_Onsemi

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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公司基本資料信息







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onsemi NTHL095N65S3HF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

超 FET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高電壓超級結(jié)點 (SJ) MOSFET這種先進的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實現(xiàn)小型化和更高效率。超 FET III FFET MOSFET 的主體二極管優(yōu)化反向恢復(fù)性能，可消除額外元件，提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時為 700 V
超低門電荷（典型值） QG =66 NC ）
低有效輸出電容（典型 余弦 (EFF.)=569 pF)
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅固的主體二極管）
優(yōu)化的電容
典型值 RDS (on) =78 M Ω
優(yōu)點
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
低切換損耗
低溫運行時系統(tǒng)可靠性更高
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
最終產(chǎn)品
電信電源
服務(wù)器電源
EV 充電器
太陽能/UPS


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 36 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 95 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 272 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
長度 15.87mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.82mm
典型柵極電荷@Vgs 66 nC @ 10 V
暫無

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