Vishay SI7216DN 是雙 N 溝道 MOSFET ，漏極至源電壓 (VDS) 為 40V。 柵極至源電壓 (VGS) 為 20V。它采用功率 PAK 1212-8 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10 VGS 時為 0.032 歐姆， 4.5 VGS 時為 0.039 歐姆。最大漏極電流 6A。
Trench FET 功率 MOSFET
低熱阻功率 PAK 封裝，具有小尺寸和 1.07 mm 薄型
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
符合 RoHS 指令 2002/95/EC
