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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SI3493BDV-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SI3493BDV-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay 半導(dǎo)體 SI3493BDV-T1-GE3 是 6 引腳， 20 V ， 8 A ，表面安裝 P 通道 MOSFET ，通常用于負(fù)載， PA 和電池開關(guān)。

無(wú)鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
PWM 優(yōu)化
通過(guò) 100 % Rg 測(cè)試
符合 RoHS 指令 2002/95/EC


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 TSOP6
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 6
最大漏源電阻值 45 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 -0.9V
最小柵閾值電壓 -0.4V
最大功率耗散 2.97 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±8 V
長(zhǎng)度 3.1mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 29 nC @ 10 V
寬度 1.7mm
暫無(wú)

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