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產(chǎn)品分類
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onsemi NTPF110N65S3HF MOSFET

訂 貨 號(hào)：NTPF110N65S3HF      品牌：安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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onsemi NTPF110N65S3HF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高電壓超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用電荷平衡技術(shù)實(shí)現(xiàn)出色的低接通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進(jìn)的技術(shù)專門用于最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的切換性能，并能承受極端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET 非常適合各種功率系統(tǒng)，以實(shí)現(xiàn)小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 經(jīng)過優(yōu)化的主體二極管反向恢復(fù)性能，可消除額外的元件并提高系統(tǒng)可靠性。

TJ = 150 °C 時(shí)為 700 V
超低柵極電荷（典型值 QG = 62 常閉）
低有效輸出電容（典型值 Coss （有效） = 522 pF ）
優(yōu)化的電容
極佳的主體二極管性能（低 Qrr、堅(jiān)固的主體二極管）
典型值 RDS （開） = 98 mΩ
低溫運(yùn)行時(shí)系統(tǒng)可靠性更高
低切換損耗
低切換損耗
在 LLC 和相移全橋電路中具有更高的系統(tǒng)可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振蕩
應(yīng)用
電信
云系統(tǒng)
工業(yè)
最終產(chǎn)品
電信電源
服務(wù)器電源
EV 充電器
太陽(yáng)能/UPS


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 TO-220
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 110 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 240 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
長(zhǎng)度 10.63mm
寬度 4.9mm
典型柵極電荷@Vgs 62 nC @ 10 V
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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