Vishay MOSFET 是 N 溝道 TO-220AB-3 封裝,是具有 500V 漏 - 源電壓和 30V 最大柵 - 源電壓的新時代產(chǎn)品。它在柵極源電壓為 10V 時具有 180mohm 的漏極源電阻。MOSFET 的最大功耗為 460 W。 此產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。
?增強(qiáng)的 dV/dt 功能可提高耐用性
?更高的柵極電壓閾值可提高抗噪性
?無鉛 (Pb) 組件
?降低柵極電荷可簡化驅(qū)動要求
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
?超快主體二極管無需在 ZVS 應(yīng)用中使用外部二極管
?電動機(jī)控制應(yīng)用
?電信和服務(wù)器電源
? UPS(不間斷電源)
?零電壓開關(guān) SMPS