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產(chǎn)品分類

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onsemi NCP81075DR2G MOSFET

訂 貨 號(hào):NCP81075DR2G      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi NCP81075DR2G MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

NCP81075 是高性能雙 MOSFET(高側(cè)和低側(cè))柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,專為工作電壓高達(dá) 180 V 的高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 而設(shè)計(jì)。NCP81075 集成了驅(qū)動(dòng)器 IC 和限幅二極管,提供高達(dá) 4 A 的驅(qū)動(dòng)能力。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器可單獨(dú)控制,具有相匹配的 3.5 ns 典型傳播延時(shí)。此驅(qū)動(dòng)器非常適合用于高電壓降壓應(yīng)用、隔離電源、2 個(gè)開(kāi)關(guān)和有源鉗位前饋轉(zhuǎn)換器。該設(shè)備還可用于太陽(yáng)能優(yōu)化器和太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用。該部件采用 SO8、8 引腳 DFN 和 10 引腳 DFN 封裝,并可在 -40 ℃ 至 140 ℃ 的溫度范圍內(nèi)工作

驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)的兩個(gè) N 通道 MOSFET
集成限幅二極管,用于高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)
引導(dǎo)程序電源電壓范圍高達(dá) 180 V
4 A 源電流、4 A 匯電流輸出容量
以 8 ns/7 ns 的典型上升/下降時(shí)間驅(qū)動(dòng) 1 nF 負(fù)載
寬電源電壓范圍(8.5 V 至 20 V)
快速傳播延遲時(shí)間(典型值 20 ns)
2 ns 延時(shí)匹配(典型值)
用于驅(qū)動(dòng)電壓的欠電壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)
工作接點(diǎn)溫度范圍:-40°C 至 140°C
應(yīng)用
降壓轉(zhuǎn)換器
隔離電源
D 類音頻放大器
兩個(gè)開(kāi)關(guān)和有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器
太陽(yáng)能優(yōu)化器


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4 A
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
寬度 4mm
長(zhǎng)度 5mm
最高工作溫度 +170 °C
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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