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Vishay SI2369DS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI2369DS-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SI2369DS-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產品,柵極源電壓為 10V 時漏 - 源電阻為 29mohm。它的最大柵極源電壓為 20V ,漏極源電壓為 30V。MOSFET 的最小和最大驅動電壓分別為 4.5V 和 10V。它具有 7.6A 的連續漏極電流和 2.5W 的最大功耗。 MOSFET 經優化可降低開關和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應用

?直流 / 直流轉換器
?用于移動計算
?負載開關
?筆記本電腦適配器開關

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經過 RG 測試


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 7.6 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.04 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
每片芯片元件數目 1
暫無

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