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產(chǎn)品分類
分類：
工業(yè)電氣產(chǎn)品 工業(yè)控制產(chǎn)品 傳感測(cè)量產(chǎn)品 儀表工具產(chǎn)品 工業(yè)電子產(chǎn)品 機(jī)械設(shè)備產(chǎn)品

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Vishay SiZF920DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SiZF920DT-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SiZF920DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

具有肖特基二極管的雙路 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側(cè) MOSFET，集成了肖特基


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 197 （信道 2 ） A ， 76 （信道 1 ） A
最大漏源電壓 30 （通道 1 ） V ， 30 （通道 2 ） V
封裝類型 PowerPair 6x5f
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.0014 （ Ω 2 ） μ a 、 0.005 （通道 1 ） Ω μ a
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V
最小柵閾值電壓 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V
最大功率耗散 28 w 、 74 w
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 5.1mm
典型柵極電荷@Vgs 19nc @ 15v （通道 1 ）， 83nc @ 15v （通道 2 ）
長(zhǎng)度 6.1mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

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