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產(chǎn)品分類

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onsemi FDMC007N08LCDC MOSFET

訂 貨 號(hào):FDMC007N08LCDC      品牌:安森美_Onsemi

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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onsemi FDMC007N08LCDC MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

這款 N 通道 MV MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn),該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝已經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低通態(tài)電阻,同時(shí)保持同類最佳的柔軟主體二極管

屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 21 A 時(shí),最大 RDS(接通)= 6.8 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 17 A 時(shí),最大 RDS(接通)= 11.1 mΩ
具有 5 V 驅(qū)動(dòng)能力
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅(jiān)固封裝設(shè)計(jì)


雙冷卻封裝
應(yīng)用
初級(jí)直流-直流 MOSFET
直流-直流和交流-直流同步整流器
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
太陽(yáng)能


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 22 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 PQFN
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 6.8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 57 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 31 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 3.4mm
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.4mm
暫無

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