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訂 貨 號(hào):FDMC007N08LCDC 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
這款 N 通道 MV MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 的先進(jìn) PowerTrench? 工藝生產(chǎn),該工藝內(nèi)置了屏蔽柵極技術(shù)。該工藝已經(jīng)過優(yōu)化,可最大限度地降低通態(tài)電阻,同時(shí)保持同類最佳的柔軟主體二極管
屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
VGS = 10 V、ID = 21 A 時(shí),最大 RDS(接通)= 6.8 mΩ
VGS = 4.5 V、ID = 17 A 時(shí),最大 RDS(接通)= 11.1 mΩ
具有 5 V 驅(qū)動(dòng)能力
比其他 MOSFET 供應(yīng)商的 Qrr 低 50%
降低切換噪聲/EMI
MSL1 堅(jiān)固封裝設(shè)計(jì)
雙冷卻封裝
應(yīng)用
初級(jí)直流-直流 MOSFET
直流-直流和交流-直流同步整流器
電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
太陽(yáng)能
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 22 A |
最大漏源電壓 | 80 V |
封裝類型 | PQFN |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 6.8 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 57 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±20 V |
典型柵極電荷@Vgs | 31 nC @ 10 V |
長(zhǎng)度 | 3.4mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 3.4mm |