此設備專門設計為單個封裝解決方案，可滿足手機和其它超便攜應用中的雙重交換要求。它具有兩個獨立的 N 通道 MOSFET ，具有低導通電阻，可實現最小傳導損耗。MicroFET 2x2 為其物理尺寸提供卓越的熱性能，非常適合線性模式應用。
2.9 A ， 30 V
RDS (on) =123 m Ω @VGS =4.5 V
RDS (on) =140 M Ω @VGS =3.0 V
RDS (on) =163 m Ω @VGS =2.5 V
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封裝 MicroFET 2x2mm
HBM ESD Protection Level =1.8kV （注釋 3 ）
無鹵化合物和銻氧化物
應用
本產品是一般用途，適用于多種不同的應用場合
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 2.9 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | WDFN |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 268 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.5V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 最大功率耗散 | 1.5 W |
| 最大柵源電壓 | ±12 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| 長度 | 2mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
| 寬度 | 2mm |
